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朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競內(nèi)存,頻率競速10000MHz

  • 作者:admin
  • 來源:本站
  • 發(fā)布時間:2021-04-16

日前,首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達朗科研發(fā)總部,朗科正式進入DDR5內(nèi)存研發(fā)階段。此批到達的顆粒為Micron DDR5 ES,IC編號為Z9ZSB,根據(jù)Micron官網(wǎng)查詢?yōu)镋S樣品,顆粒容量為2Gx8,工作時序為40-40-40。

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顆?;?znm工藝制造,尺寸為11x9mm,以下為高清圖賞。

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朗科自2018年進入內(nèi)存行業(yè),目前已經(jīng)推出新款電競及國產(chǎn)化內(nèi)存產(chǎn)品,預(yù)計在今年6月推出DDR4電競RGB燈條。結(jié)合內(nèi)存性能的過往發(fā)展、研發(fā)路程以及對玩家速度的追求,朗科計劃投入研發(fā)可達10000MHz以上的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,敬請期待。


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